英特尔18A工艺准备就绪 方案本年上半年开端流片

  IT之家 2 月 23 日音讯，英特尔昨日更新了其半导体 Foundry 相关页面的介绍，并宣告其“四年五个节点”（现在是四个节点了）方案中最终也是最重要的 Intel 18A 工艺准备就绪，方案于本年上半年开端流片。

  18A 制程的老练标志着英特尔 IDM 2.0 战略的重大突破，一起被视为英特尔代工服务（IFS）重铸往日荣光的要害信号，关于现已退休的英特尔前 CEO Pat Gelsinger 来说肯定是好音讯。

  就现在已知信息，英特尔下一代移动处理器 Panther Lake 至少有一部分将根据 Intel 18A 工艺制作。

  英特尔表明，Panther Lake 芯片方案于本年下半年发布并投产，不过 Intel 18A 初期产能有限，所以搭载该芯片的笔记本电脑估计要比及 2026 年才会大批量上市。

  此外，英特尔将于 2026 年推出下一代 Nova Lake 桌面处理器。这两款产品承载了英特尔复兴的期望，英特尔以为它们的到来将显着改进该公司的收入状况。

  英特尔还方案在下一年上半年推出的首款根据 Intel 18A 的服务器产品 Clearwater Forest（开始方案 2025 年发布）。英特尔表明，本年的主题是进步“至强”的商场之间的竞赛位置，然后尽力缩小与竞赛对手的距离。

  说回 Intel 18A 工艺，英特尔称其选用了业界创始的 PowerVia 反面供电技能，以及 RibbonFET 全盘绕栅极（GAA）晶体管技能，相较于 Intel 3 工艺密度提高 30%、单位功耗功能提高 15%。

  据职业剖析，其 SRAM 密度已与台积电 N2 制程相等，甚至在功耗和功能平衡把控方面更具竞赛优势。

  IT之家从官方得悉，PowerVia 反面供电技能经过将供电层与信号层别离，完成芯片密度和单元利用率提高 5%-10%。比较传统正面供电规划，其电阻压降（IR Drop）显着下降，在相同功耗条件下可完成最高 4% 的功能提高。

  RibbonFET 全盘绕栅极晶体管技能选用纳米带（Nanoribbon）结构，完成对电流的准确操控，可在芯片元件微缩化进程中大大下降漏电率，有用缓解高密度芯片的功耗问题。

  英特尔表明，Intel 18A 技能作为 IFS 的中心竞赛力，凭仗多项突破性立异，将成为北美区域首个量产落地的 2nm 以下先进制程节点，为全球客户供给供应链多元化挑选。

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